3DNAND在固態(tài)硬盤(SSD)存儲中風靡一時，無論是在消費者、企業(yè)還是工業(yè)嵌入式開發(fā)中，尤其是在嵌入式設計中。

NAND大幅提升閃存存儲容量的潛力遠超平面(2D)NAND，這一點已有充分證明。主要閃存制造商一直吹噓他們開發(fā)的3DNAND設備超過了單個設備不斷增長的容量，使從手持設備到數據中心的設計中一度難以理解的存儲成為可能。然而，較少討論的是如何在要求苛刻的嵌入式系統(tǒng)中部署超大容量3DNAND閃存存儲，包括工業(yè)物聯(lián)網(IIoT)和機器對機器(M2M)設計。此類應用以不同的方式利用閃存存儲。

閃存容量不斷增加的另一個原因是，主流的位容量現(xiàn)在是每單元三位，或未來每單元四位的三電平單元(TLC)技術和四電平單元(QLC)。

對于所有這些新的3D制造方法，都有一些折衷——我們應該預計到耐用性、性能、散熱考慮和容量之間的某種折衷。畢竟，將每個單元三位(最終是四位)封裝到芯片中，然后將其制造成分層解決方案是一個相對較新的概念，仍處于改進階段，因此會受到初始耐用性、性能和散熱挑戰(zhàn)的影響。

NAND閃存設計人員正在克服耐用性和散熱障礙，但這是有代價的。直到最近，基于工業(yè)溫度的3D解決方案才進入工業(yè)嵌入式開發(fā)市場，而主流商業(yè)和企業(yè)版本已經在各自的市場上出現(xiàn)了幾年。讓這項技術適應工業(yè)市場需要一些時間，但似乎3DNAND的工程師們正在學習如何做到這一點。基于3D的固態(tài)硬盤不必犧牲耐用性，現(xiàn)在已經達到并超過了2D基于MLC的固態(tài)硬盤的耐用性。

工業(yè)溫度級3DNAND閃存問世。但熱效應對3DSSD性能的影響仍然是相當新的主題，需要對工作負載和極端溫度范圍進行進一步的驗證測試。3DNAND處于主流市場，但3DNAND的高溫使用仍處于初級階段。

雖然3DNAND固態(tài)硬盤已被證明適用于消費類應用企業(yè)存儲環(huán)境，工業(yè)嵌入式市場不能為了容量而犧牲數據完整性。工廠、醫(yī)療設備和智能城市等工業(yè)3DSSD應用無法承受數據存儲系統(tǒng)的崩潰;生活和生計依賴于它們，而這些數據是至關重要的。工業(yè)用戶一次又一次地肯定了這一點:固態(tài)硬盤的耐用性和數據保護是不容置疑的，即使在最極端的環(huán)境中也是如此。這凸顯了現(xiàn)成固態(tài)硬盤與專為此類關鍵任務應用而設計和構建的固態(tài)硬盤之間的區(qū)別。

由于IIoT端點通常位于惡劣和/或偏遠的環(huán)境中，因此這里使用的固態(tài)硬盤必須能夠承受極端溫度(I-Temp(-40°C至85°C)是溫度耐受的行業(yè)標準)，以及可以通過特殊固態(tài)硬盤制造工藝抵消的振動和沖擊。它們還必須以“一勞永逸”為目的，并通過軟件進行監(jiān)控和預測分析。

工業(yè)3DNAND存儲需要考慮的另一個問題是保護嵌入式開發(fā)系統(tǒng)收集的數據。與2D的前身一樣，基于3DNAND的固態(tài)硬盤可以通過加密實現(xiàn)數據安全。使用高級加密標準(AES)的自加密固態(tài)硬盤被視為美國政府事實上的安全標準，為靜態(tài)數據的保護提供了堅實的保證。

同樣，固態(tài)硬盤的應用及其收集和存儲的關鍵數據非常簡單不能失敗。

顯然，在嵌入式系統(tǒng)、IIoT和M2M數據收集和存儲應用中，利害關系要大得多。當閃存制造商開發(fā)容量更高的存儲時，這些股份可以作為指導因素，正如我們在3DNAND中看到的那樣。

不斷發(fā)展的3DNAND開發(fā)，加上Virtium等SSD提供商使用的成熟的工業(yè)級生產技術和加密技術，將支持工業(yè)嵌入式市場苛刻的存儲需求。

無論3DNAND的“成長之痛”是什么，嵌入式嵌入式開發(fā)工程師都可以放心，固態(tài)硬盤是圍繞這一新技術開發(fā)的尺寸的存儲將提供所需的驅動器耐用性和數據保護。